韩国《朝鲜日报》在9月10日报道中，对中国最大的DRAM制造商长鑫存储（CXMT）进行讽刺，指出其高带宽内存（HBM）的良品率仅为25%，意味着在四个芯片中有三颗被视为废品，并举例说明SK海力士在提升良率至90%上花费了四年之久。按照半导体行业的通行标准，达到80%的良品率才算是具有盈利能力的量产水平。报道主要讨论了TSV（硅通孔）多层堆叠工艺，强调在制造过程中需要将裸片减薄、打孔、填充铜，并垂直叠加八层，这一过程远比普通DRAM复杂。虽然长鑫作为新进入者需要交“学费”，但韩媒并未提及长鑫目前25%的良率实际上是在试产阶段的正常表现。在晶圆的前端，良率约为30%，经过后端封装和测试后，综合良率才会降至20%-25%。更为关键的是，长鑫已经将样品送往阿里平头哥、寒武纪和华为昇腾进行验证。在当前AI计算能力受到限制的背景下，“能够制造并敢于交样”本身比短期的良率数据更具战略意义。实际上，韩媒的报道只关注了“你现在的表现不佳”，却没有注意到“你发展的速度有多快”。长鑫自2016年成立以来，2024年将达到G4（17纳米级）DRAM自主量产，2026年进行HBM3试产，这样的进展在全球存储行业中，仅有三家韩美巨头能够比肩。TSV工艺并非无解，近年来国内封测厂、设备厂和材料厂均在围绕HBM展开研究，相关的供应链正在逐步成型。长鑫的良率从25%提高到50%再达到80%的过程，或许不需要SK海力士四年那么久，因为支撑其发展的背后是来自国产AI芯片的巨大市场需求。尽管韩媒调侃“废品率”，但在国内却有人赞赏长鑫这么早就敢在AI芯片的供应链上进行尝试，展示出其追赶的速度是外界难以理解的。虽然韩媒指出了技术差距和良率短板，但国内关注的则是战略突破和市场的入场机会。HBM这种产品对普通消费者来说并不重要，但在AI训练卡、推理卡和国产大模型中都是必不可少的。尽管长鑫目前的良率较低，但如果未来面临美韩的完全供给中断，长鑫仍将保持其发展的潜力。网友对此发表了看法，各地评论者纷纷对这一事件进行了讨论，比如江西的一位网友表示理解长鑫的紧迫感，而湖南的网友则引发 疑问，为何这样的机密信息会让韩国人知晓，一个半导体行业的官员则进一步解释了TSV工艺的复杂性与必要的技术积累。尽管三星电子在其HBM4的生产初期良率低于60%，并在短短六个月内提升至80%，因此将长鑫存储的25%良率称作“失败”还为时尚早。长鑫的HBM3依然在稳步提升良率，最终结果尚未可知。